本发明公开了一种形成光电转换层的方法,包括下列步骤。提供一第一基板,并于第一基板上形成一电极层。于电极层上形成一第一金属前驱物层,其中第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分。提供一第二基板,并于第二基板上形成一非金属前驱物层,其中非金属前驱物层包括至少一种非金属成分。堆栈第一基板与第二基板,使非金属前驱物层与第一金属前驱物层接触。进行一热工艺,以使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。
1.一种形成光电转换层的方法,其特征在于,包括:提供一第一基板,并于该第一基板上形成一电极层;于该电极层上形成一第一金属前驱物层,该第一金属前驱物层为由金属构成的前驱物层;提供一第二基板,并于该第二基板上形成一非金属前驱物层,该非金属前驱物层包括至少一种非金属成分;堆栈该第一基板与该第二基板,使该非金属前驱物层与该第一金属前驱物层接触;以及进行一热工艺,以使该第一金属前驱物层与该非金属前驱物层反应而形成一光电转换层,并且,更包括于该第二基板上形成该非金属前驱物层之前,先于该第二基板上形成一第二金属前驱物层,该第二金属前驱物层为单一金属前驱物层或单一合金前驱物层或为一多层结构金属前驱物层,且该多层结构金属前驱物层包括多层金属前驱物薄膜,各该金属前驱物薄膜为一单一金属前驱物薄膜或一合金前驱物薄膜。
2.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层利用一溅镀工艺加以形成。
3.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该非金属前驱物层利用一蒸镀工艺加以形成。
4.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一基板与该第二基板分别包括一含钠玻璃基板。
5.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层包括一单层结构金属前驱物层。
6.根据权利要求5所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该单层结构金属前驱物层为一单一金属前驱物层。
7.根据权利要求5所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该单层结构金属前驱物层为一合金前驱物层。
8.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层包括一多层结构金属前驱物层,且该多层结构金属前驱物层包括多层互相堆栈的金属前驱物薄膜。
9.根据权利要求8所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该多层结构金属前驱物层的其中至少一该金属前驱物薄膜为一单一金属前驱物薄膜。
10.根据权利要求8所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该多层结构金属前驱物层的其中至少一该金属前驱物薄膜为一合金前驱物薄膜。
11.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层的金属成分包括至少一种B族金属元素,且该非金属前驱物层的非金属成分包括一种A族非金属元素。
12.根据权利要求11所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层的金属成分包括铟、铜与镓,且该非金属前驱物层的非金属成分包括硒。
13.根据权利要求12所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第二金属前驱物层包括至少一种金属成分,且该金属成分包括镓。
14.根据权利要求11所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层的金属成分包括铜、锌与锡,且该非金属前驱物层的非金属成分包括硫。
15.根据权利要求11所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该第一金属前驱物层的金属成分包括镉,且该非金属前驱物层的非金属成分包括碲。
16.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该热工艺包括一多阶段快速热工艺或一单一阶段热工艺。
17.根据权利要求16所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该多阶段快速热工艺包括依序进行一低温热工艺与一高温热工艺。
18.根据权利要求17所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该低温热工艺的一工艺温度介于80°C至140°C之间,该低温热工艺的一工艺时间介于15分钟至20分钟,该高温热工艺的一工艺温度介于500°C至560°C之间,且该高温热工艺的一工艺时间小于10分钟。
19.根据权利要求17所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该多阶段快速热工艺另包括于该低温热工艺与该高温热工艺之间进行一中温热工艺。
20.根据权利要求19所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,该中温热工艺的一工艺温度介于330°C至480°C之间,且该中温热工艺的一工艺时间小于10分钟。
21.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法,其特征在于,于进行该热工艺时,该第二基板置放于该第一基板之上。技术领域
本发明关于一种形成光电转换层的方法,尤其涉及一种将金属前驱物层与非金属前驱物层堆栈,并利用热工艺使金属前驱物层与非金属前驱物层进行反应而制作出光电转换层的方法。
背景技术
光电转换层(optoelectronicxa0conversionxa0layer)由于具有可吸收特定波长的光线并将其转换成电能的特性,因此目前被广泛地应用在太阳能电池的光吸收层或是感光组件的光感应层上。现行的光电转换层可使用的材料例如为铜铟镓硒(CIGS)合金。现有形成铜铟镓硒合金的方式主要包括利用共蒸镀(co-evaporation)工艺与利用溅镀(sputter)工艺搭配硒化(selenization)反应两种方式。共蒸镀工艺由于会受限于蒸镀源的尺寸而仅能应用在小尺寸组件上,对于大尺寸元件而言,利用共蒸镀工艺形成的铜铟镓硒合金具有较差的均匀度,而使得其光电转换效率较差。另外,利用溅镀工艺搭配硒化反应的作法为先利用溅镀形成铜铟镓合金,再进行硒化反应形成铜铟镓硒化合物。然而,由于镓会产生分离(segregation)现象而造成在远离基板表面的区域(即靠近铜铟镓硒化合物的表面)的镓含量偏低,在靠近基板表面区(即远离铜铟镓硒化合物的表面)的镓含量偏高,而使得铜铟镓硒化合物在靠近pn接面处的能隙(energyxa0bandgap)较低,导致太阳能电池的开路电压下降。此外,硒化工艺必须使用毒性气体如氢化硒,也不符合现行环保趋势。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种形成光电转换层的方法,以提升光电转换层的各成分的分布均匀度与光电转换效率。本发明的一较佳实施例提供一种形成光电转换层的方法,包括下列步骤。提供一第一基板,并于第一基板上形成一电极层。于电极层上形成一第一金属前驱物层,其中第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分。提供一第二基板,并于第二基板上形成一非金属前驱物层,其中非金属前驱物层包括至少一种非金属成分。堆栈第一基板与第二基板,使非金属前驱物层与第一金属前驱物层接触。进行一热工艺,以使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。其中,该第一金属前驱物层利用一溅镀工艺加以形成。其中,该非金属前驱物层利用一蒸镀工艺加以形成。其中,该第一基板与该第二基板分别包括一含钠玻璃基板。其中,该第一金属前驱物层包括一单层结构金属前驱物层。其中,该单层结构金属前驱物层为一单一金属前驱物层。其中,该单层结构金属前驱物层为一合金前驱物层。其中,该第一金属前驱物层包括一多层结构金属前驱物层,且该多层结构金属前驱物层包括多层互相堆栈的金属前驱物薄膜。其中,该多层结构金属前驱物层的其中至少一该金属前驱物薄膜为一单一金属前驱物薄膜。其中,该多层结构金属前驱物层的其中至少一该金属前驱物薄膜为一合金前驱物薄膜。其中,更包括于该第二基板上形成该非金属前驱物层之前,先于该第二基板上形成一第二金属前驱物层。其中,该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括至少一种B族金属元素,且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括一种A族非金属元素。其中,该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括铟、铜与镓,且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括硒。其中,更包括于该第二基板上形成该非金属前驱物层之前,先于该第二基板上形成一第二金属前驱物层,其中该第二金属前驱物层包括至少一种金属成分,且该金属成分包括镓。其中,该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括铜、锌与锡,且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括硫。其中,该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括镉,且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括碲。其中,该热工艺包括一多阶段快速热工艺或一单一阶段热工艺。其中,该多阶段快速热工艺包括依序进行一低温热工艺与一高温热工艺。其中,该低温热工艺的一工艺温度大体上介于80°C至140°C之间,该低温热工艺的一工艺时间大体上介于15分钟至20分钟,该高温热工艺的一工艺温度大体上介于500°C至560°C之间,且该高温热工艺的一工艺时间大体上小于10分钟。其中,该多阶段快速热工艺另包括于该低温热工艺与该高温热工艺之间进行一中温热工艺。其中,该中温热工艺的一工艺温度大体上介于330°C至480°C之间,且该中温热工艺的一工艺时间大体上小于10分钟。其中,于进行该热工艺时,该第二基板置放于该第一基板之上。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1绘示了本发明的形成光电转换层的方法流程图。图2至图5绘示了本发明的第一较佳实施例的形成光电转换层的方法示意图。图6绘示了本发明的第一较佳实施例的一变化型的形成光电转换层的方法示意图。图7绘示了本发明的第二较佳实施例的形成光电转换层的方法示意图。图8绘示了本发明的第二较佳实施例的一变化型的形成光电转换层的方法示意图。图9绘示了利用本发明的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的铜铟镓硒化合物层的拉曼频谱图。图10绘示了利用本发明的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的镓/铟+镓(Ga/(In+Ga))原子比值与深度的关系图。其中,附图标记:20:第一基板xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa022:电极层24:第一金属前驱物层xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0241:第一金属前驱物薄膜242:第二金属前驱物薄膜xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0243:第三金属前驱物薄膜26:第二基板xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa027:第二金属前驱物层28:非金属前驱物层xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa029:热工艺30:光电转换层xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0A,B,C,X,Y,Z:曲线10,12,14,16,18:步骤
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明,下文特列举本发明的较佳实施例,并配合所附图式,详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。请参考图1。图1绘示了本发明的形成光电转换层的方法流程图。如图1所示,本发明的形成光电转换层的方法包括下列步骤:步骤10:提供一第一基板,并于第一基板上形成一电极层;步骤12:于电极层上形成一第一金属前驱物层,其中第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分;步骤14:提供一第二基板,并于第二基板上形成一非金属前驱物层,其中非金属前驱物层包括至少一种非金属成分;步骤16:堆栈第一基板与第二基板,使非金属前驱物层与第一金属前驱物层接触;以及步骤18:进行一热工艺,以使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。本发明的形成光电转换层的方法先分别于第一基板上形成金属前驱物层,以及于第二基板上形成一非金属前驱物层,再将第一基板与第二基板堆栈使非金属前驱物层与金属前驱物层接触,最后再进行一热工艺使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。本发明的形成光电转换层的方法可应用于大尺寸元件上,且制作出的光电转换层的各成分可具有均匀的分布,而可使得光电转换层具有较佳的光电转换效率。下文将针对本发明形成光电转换层的不同实施例进行说明。请参考图2至第图5。图2至图5绘示了本发明的第一较佳实施例的形成光电转换层的方法示意图。如图2所示,提供一第一基板20,并于第一基板20上形成一电极层22。第一基板20较佳可包括含钠玻璃(soda-limexa0glass,SLG)基板,但不以此为限,也可为其它基板。电极层22可包括一金属电极,例如一钼电极,但不以此为限而也可为其它导电电极,且不限制是否为单层结构或多层结构。随后,于电极层22上形成一第一金属前驱物层24,且第一金属前驱物层24可包括多种金属成分。在本实施例中,第一金属前驱物层24的多种金属成分包括至少一种B族金属元素(例如Ixa0B族-VIIIxa0B族的任一种金属元素),但不以此为限。此外,在本实施例中,第一金属前驱物层24包括一单层结构金属前驱物层。举例而言,单层结构金属前驱物层可为一合金前驱物层,例如第一金属前驱物层24的金属成分可包括铟(In)、铜(Cu)与镓(Ga),也即第一金属前驱物层24可为一铜铟镓合金前驱物层,或者第一金属前驱物层24的金属成分可包括铜(Cu)、锌(Zn)与锡(Sn),也即第一金属前驱物层24可为一铜锌锡合金前驱物层,但不以此为限。此外,第一金属前驱物层24也可为一单一金属前驱物层,例如第一金属前驱物层24的金属成分可包括镉(Cd),也即第一金属前驱物层24可为一镉前驱物层。第一金属前驱物层24也可为一多层结构金属前驱物层,且多层结构金属前驱物层可包括多层金属前驱物薄膜,其中各金属前驱物薄膜可为一单一金属前驱物薄膜或一合金前驱物薄膜。另外,在本实施例中,第一金属前驱物层24较佳利用溅镀工艺加以形成,但不以此为限。第一金属前驱物层24的厚度较佳约介于0.8微米至2微米之间,例如约为1.1微米,但不以此为限。如图3所示,提供一第二基板26,并于第二基板26上形成一非金属前驱物层28。第二基板26较佳可包括含钠玻璃基板,但不以此为限,也可为其它基板。非金属前驱物层28包括至少一种非金属成分,此至少一种非金属成分可包括一种A族非金属元素(例如Ixa0A族-VIIIxa0A族的任一种非金属元素)。举例而言,非金属前驱物层28的至少一种非金属成分可包括硒(Se),且在此状况下,第一金属前驱物层24可为一铜铟镓合金前驱物层。或者,非金属前驱物层28的至少一种非金属成分可包括硫(S),且在此状况下,第一金属前驱物层24可为一铜锌锡合金前驱物层,但不以此为限。又或者,非金属前驱物层28的至少一种非金属成分可包括碲(Te),且在此状况下,第一金属前驱物层24可为一镉前驱物层,但不以此为限。此外,本实施例的非金属前驱物层28较佳利用蒸镀工艺加以形成,但不以此为限。非金属前驱物层28较佳约介于0.5微米至2微米之间,例如约为0.9微米,但不以此为限。如图4所示,堆栈第一基板20与第二基板26,使非金属前驱物层28与第一金属前驱物层24接触。堆栈第一基板20与第二基板26的方式较佳可将第二基板26翻转置放于第一基板20上,使非金属前驱物层28堆栈于第一金属前驱物层24上,藉此第一金属前驱物层24的镓成分的分布可较均匀,但不以此为限。例如,也可将第一基板20翻转置放于第二基板26上。如图5所示,进行一热工艺29,以使第一金属前驱物层24(如图4所示)与非金属前驱物层28(如图4所示)反应而形成一光电转换层30。光电转换层30的厚度较佳大于1.8微米,例如介于1.8微米至3微米之间,但不以此为限。最后,可将第二基板26自光电转换层30上移除。在本实施例中,当第一金属前驱物层24选用铜铟镓合金前驱物层,且当非金属前驱物层28的非金属成分选用硒,则在热工艺后会光电转换层30会形成具有黄铜矿晶体结构(chalcopyrite)的铜铟镓硒化合物(CIGS)层。或者,当第一金属前驱物层24选用铜锌锡合金前驱物层,且当非金属前驱物层28的非金属成分选用硫,则在热工艺后会光电转换层30会形成铜锌锡硫化合物(CZTS)层。又或者当第一金属前驱物层24选用镉前驱物层,且当非金属前驱物层28的非金属成分选用碲,则光电转换层30会形成碲化镉(CdTe)层。在本实施例中,热工艺较佳可包括一多阶段快速热工艺。举例而言,在本实施例中,多阶段快速热工艺可包括依序进行一低温热工艺与一高温热工艺。低温热工艺的主要作用的一例如在于使硒扩散渗入铜铟镓合金内,而低温热工艺的工艺温度大体上可介于80°C至140°C之间(例如较佳约为140°C),且低温热工艺的工艺时间大体上可介于15分钟至20分钟,但不以此为限。高温热工艺的主要作用的一例如在于使硒与铜铟镓合金反应以形成铜铟镓硒化合物层。高温热工艺的工艺温度大体上可介于500°C至560°C之间(例如较佳约为550°C),且高温热工艺的工艺时间大体上可小于10分钟(例如较佳约为5分钟),但不以此为限。此外,本实施例的多阶段快速热工艺可另选择性包括于低温热工艺与高温热工艺之间进行一中温热工艺。中温热工艺的工艺温度大体上可介于330°C至480°C之间(例如较佳约为450°C),且中温热工艺的工艺时间大体上小于10分钟(例如较佳约为5分钟),但不以此为限。本实施例的热工艺并不限于多阶段快速热工艺,也可为单一阶段快速热工艺或其它各种型式的热工艺。本发明的形成光电转换层的方法并不以上述实施例为限。下文将依序介绍本发明的其它较佳实施例的形成光电转换层的方法,且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明,在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件,且主要针对各实施例的相异处进行说明,而不再对重复部分进行赘述。请参考图6。图6绘示了本发明的第一较佳实施例的一变化型的形成光电转换层的方法示意图。如图6所示,于第二基板26上形成非金属前驱物层28之前,本变化型的形成光电转换层的方法另包括先于第二基板26上形成一第二金属前驱物层27。第二金属前驱物层27包括至少一种金属成分,且上述金属成分例如可包括镓(Ga)或铜(Cu)或镓铜合金,但不以此为限。第二金属前驱物层27可为一单层结构金属前驱物层,例如一单一金属前驱物层或一合金前驱物层。第二金属前驱物层27也可为一多层结构金属前驱物层,且多层结构金属前驱物层可包括多层金属前驱物薄膜,其中各金属前驱物薄膜可为一单一金属前驱物薄膜或一合金前驱物薄膜。请参考图7。图7绘示了本发明的第二较佳实施例的形成光电转换层的方法示意图。如图7所示,不同于第一较佳实施例,在本实施例中,形成于电极层22上的第一金属前驱物层24可包括一多层结构金属前驱物层,且多层结构金属前驱物层包括多层互相堆栈的金属前驱物层。举例而言,在第一金属前驱物层24的金属成分包括铟(In)、铜(Cu)与镓(Ga)的状况下,多层结构金属前驱物层可包括相互堆栈的一第一金属前驱物薄膜241与一第二金属前驱物薄膜242,其中第一金属前驱物薄膜241可为例如一铟前驱物薄膜或铟镓合金前驱物薄膜,但不以此为限,且第二金属前驱物薄膜242可为例如一铜镓合金前驱物薄膜,但不以此为限。或者,在第一金属前驱物层24的金属成分包括铜(Cu)、锌(Zn)与锡(Sn)的状况下,第一金属前驱物薄膜241与第二金属前驱物薄膜242可分别为上述金属的金属前驱物薄膜或合金前驱物薄膜。请参考图8。图8绘示了本发明的第二较佳实施例的一变化型的形成光电转换层的方法示意图。如图8所示,在本变化型中,第一金属前驱物层24包括一多层结构金属前驱物层,且多层结构金属前驱物层包括多层互相堆栈的金属前驱物层。举例而言,在第一金属前驱物层24的金属成分包括铟(In)、铜(Cu)与镓(Ga)的状况下,多层结构金属前驱物层可包括相互堆栈的一第一金属前驱物薄膜241、一第二金属前驱物薄膜242与一第三金属前驱物薄膜243,其中第一金属前驱物薄膜241可为例如一铟前驱物薄膜,第二金属前驱物薄膜242可为例如一铜前驱物薄膜,且第三金属前驱物薄膜243可为例如一镓前驱物薄膜,但不以此为限。或者,在第一金属前驱物层24的金属成分包括铜(Cu)、锌(Zn)与锡(Sn)的状况下,第一金属前驱物薄膜241、第二金属前驱物薄膜242与第三金属前驱物薄膜243可分别为上述金属的金属前驱物薄膜。在另一实施例中,第一金属前驱物薄膜241、第二金属前驱物薄膜242与第三金属前驱物薄膜243也可分别为金属前驱物薄膜或合金前驱物薄膜。请参考图9,并一并参考图5。图9绘示了利用本发明的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的铜铟镓硒化合物层的拉曼频谱图(Ramanxa0spectrum),其中图9的横轴为拉曼位移(cm-1),纵轴为归一化强度(normalizedxa0intensity);曲线A代表了对照组的铜铟镓硒化合物层的拉曼频谱,曲线B代表了利用本发明的第一较佳实施例的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的拉曼频谱,且曲线C代表了利用本发明的第一较佳实施例的变化型的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的拉曼频谱。如图9所示的拉曼频谱可知,相较于对照组的铜镓铟硒化合物层(曲线A),利用本发明的第一较佳实施例的方法制作出的铜铟镓硒化合物层(曲线B)与利用本发明的第一较佳实施例的变化型的方法制作出的铜铟镓硒化合物层具有较大的拉曼位移,显示了本发明的铜铟镓硒化合物层在靠近光电转换层30表面的区域的镓含量高于对照组的铜铟镓硒化合物层在靠近光电转换层30表面的区域的镓含量。换言之,本发明的铜铟镓硒化合物层在靠近光电转换层30表面处有较高的能隙(energyxa0bandgap),而可提升太阳能电池的开路电压。请参考图10,并一并参考图5。图10绘示了利用本发明的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的镓/铟+镓(Ga/(In+Ga))原子比值与深度的关系图,其中图10的横轴为铜铟镓硒化合物层相对于光电转换层30的表面的深度,而纵轴为镓/铟+镓(Ga/(In+Ga))的原子比值;曲线X代表了对照组的铜铟镓硒化合物层的Ga/(In+Ga)原子比值与深度的关系,曲线Y代表了利用本发明的第一较佳实施例的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的Ga/(In+Ga)原子比值与深度的关系,且曲线Z代表了利用本发明的第一较佳实施例的变化型的方法制作出的铜铟镓硒化合物层的Ga/(In+Ga)原子比值与深度的关系。由图10可知,本发明的铜铟镓硒化合物层的镓的分布明显地较对照组的铜铟镓硒化合物层的镓的分布为均匀,故可有效提升光电转换效率。综上所述,本发明的形成光电转换层的方法先分别于第一基板上形成金属前驱物层,以及于第二基板上形成一非金属前驱物层,再将第一基板与第二基板堆栈使非金属前驱物层与金属前驱物层接触,最后再进行一热工艺使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。本发明的形成光电转换层的方法可应用于大尺寸元件上,且通过上述工艺形成的光电转换层的各成分可具有均匀的分布,而可使得光电转换层具有较高的开路电压与较佳的光电转换效率。此外,在本发明中,当形成的光电转换层为铜铟镓硒化合物层时,本发明的方法可增加硒的利用率,故可节省成本,且不需使用毒性气体例如氢化硒,故可符合环保趋势。当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。